SI3424BDV-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI3424BDV-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Vishay Intertechnology SI3424BDV-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: 7A Drain Source Voltage Vds: 30V On Resistance Rds(on): 23mohm Power Dissipation Pd: 2.1W Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V Threshold Voltage Vgs Typ: 3V Transistor Polarity: N Channel Product Category: MOSFET RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 8 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.028 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 2.1 W Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns Part # Aliases: SI3424BDV-GE3
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI3424BDV-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 118,85 KB